本论文研究了通过外加磁场进行磁控溅射的方法，就是将靶内磁场屏蔽，在基片下放置磁铁，让来自基片下的磁场发挥磁控作用，这样，磁控效果不会因靶材性质而受到明显影响。与此同时，沉积薄膜的过程中发生了明显变化。实验中观察到，在外加磁场的作用下，等离子体放电的辉光的明亮程度及外貌和靶面自偏压发生了明显变化。进一步对沉积薄膜的测量表明，薄膜的沉积速率等发生了变化，通过对空间磁场进行模拟计算发现，由于空间外加的纵向磁场引起了放电空间中以及靶面附近磁场分布的改变，影响了等离子体中带电粒子的运动并最终导致了上述变化。通过细致的测量还发现，薄膜在膜面内存在明显的厚度梯度，这应当是沉积粒子受梯度磁场作用的结果。更重要的是：此时靶面被刻蚀的状态比普通磁控溅射的要均匀得多，刻蚀深度值是从边缘到中间逐渐增大的，在靶面并没有出现通常的刻蚀环，因此这种磁控配置大大提高了靶的利用率。