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一.采用直流磁控溅射的方法在水冷的Si(100)基底上制备三套多层膜样品(样品Ⅰ[Co_(30)Pt_(69)8(?)/Cx(?))_(80)(X=0-12(?)],样品Ⅱ[Co_(30)Pt_(37)4(?)/Cx(?)]_(80)(X=0-6(?))和样品Ⅲ[Pt x(?)/Co_2(?)/Cl2(?)]_(80))。本底真空为5×10~(-5)Pa,溅射气体为Ar气,溅射气压为0.5Pa,循环水冷却。为了保证样品在相似的条件下生长,我们首先在Si(100)衬底上沉积300(?)的C缓冲层,然后