【摘 要】
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硅薄膜太阳电池由于其低的材料成本受到广泛关注,但由于硅膜较薄导致了光在电池中较难被充分吸收,因而陷光技术尤为重要。日本松下公司所制造的具有高效率、低成本的带有本征薄层硅异质结(HIT)太阳电池受到重视。本论文研究了硅薄膜太阳电池的陷光以及硅HIT电池的制作工艺。利用时域有限差分法(FDTD)研究了周期性前背织构横向错位对微晶硅薄膜太阳电池光吸收的影响,首次提出了电池前背织构的横向匹配观点。研究表明
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硅薄膜太阳电池由于其低的材料成本受到广泛关注,但由于硅膜较薄导致了光在电池中较难被充分吸收,因而陷光技术尤为重要。日本松下公司所制造的具有高效率、低成本的带有本征薄层硅异质结(HIT)太阳电池受到重视。本论文研究了硅薄膜太阳电池的陷光以及硅HIT电池的制作工艺。利用时域有限差分法(FDTD)研究了周期性前背织构横向错位对微晶硅薄膜太阳电池光吸收的影响,首次提出了电池前背织构的横向匹配观点。研究表明,在大多情况下,在前背织构间引入横向错位可以使硅薄膜电池的光吸收得到增强,最大可使电池的总光吸收率提升8
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