【摘 要】
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塑料封装由于成本低,重量轻,易于实现自动化等气密封装无法比拟的优点,被广泛应用于集成电路生产中,成为界上主要的封装形式.但是在恶劣环境中塑料封装的应用引起许多当今世
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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塑料封装由于成本低,重量轻,易于实现自动化等气密封装无法比拟的优点,被广泛应用于集成电路生产中,成为界上主要的封装形式.但是在恶劣环境中塑料封装的应用引起许多当今世可靠性问题.这里有两种典型塑料封装电路失效现象:一是水汽导致的铝腐蚀;二是再流焊过程中由于塑封内部的水汽引起的表面贴装器件分层和爆米花开裂.塑料封装失效机理表明水仍是一个主要问题.为有效解决这个问题,提高塑料封装的可靠性,研究人员采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积氮化硅薄膜在芯片上(内阻挡层)或氮化硅薄膜在塑封料上(外阻挡层),以减少水汽对塑封器件的影响.由于PECVD方法能在较低温度下沉积薄膜,因而可非耐热基片上应用.然而生成的薄膜性质在很大程度上取决于沉积参数.该文主要探索PECVD方法中制备参数对氮化硅薄膜的性质和防潮性能的影响.首先,系统地改变制参数,测定各个氮化硅薄膜的性质和防潮性能,从而选择最佳的制备参数组合,制备出防潮性能较好的薄膜.
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