电阻阵微辐射体电阻的热响应时间是制约电阻阵帧频的主要因素之一,为提高微辐射体电阻热响应时间,引入过驱动技术。为节省系统开支和成本,本文提出在像素单元实现过驱动的方式,并对该方式进行了验证。本文的起始对国内外电阻阵过驱动技术进行了调研,提出了一种节省系统成本,在像素单元实现过驱动技术的方式,该方式采用开环的控制方式。对微辐射体电阻的热平衡方程进行分析,推导出微辐射体电阻过驱动技术的理论表达式。建立了微辐射体电阻热响应时间和微辐射体外部驱动功率之间的关系,为研究像素单元过驱动技术提供了理论依据。为进一步的研究像素单元过驱动技术,提出了施加在微辐射体电阻外部热驱动的波形要求,过驱动因子Kod的选值以及像素单元面积的限制对电路设计要求。随后,按照要求设计了应用于研究像素单元过驱动技术的电路结构。对电路结构设计进行了详细的参数设计,仿真和版图设计,选用CSMC 0.5μm工艺对电路进行流片。最后搭建了用于测试电路功能的系统,对应用于研究像素单元过驱动技术的电路设计进行了验证。最后,搭建了测试像素单元过驱动技术的系统,分析了验证过驱动技术的方法,并对应用于测试的Ti NX材料的微辐射体电阻进行了温度特性的测量,随后对像素单元过驱动技术进行了测试,对测试结果表现出的误差进行了误差分析,并提出改进测试的方案。随着文章的结束,文章末尾对像素单元过驱动技术的应用进行了展望。