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铁电薄膜因其具有独特的电学、光学和光电子学性能, 在现代微电子、微机电系统、信息存储等方面有着广泛的应用前景, 已经成为当前新型功能材料研究的热点之一。因此对于铁电薄膜的制备、结构及性能的研究具有重要的意义。本文对Si基Bi4Ti3O12(BTO)、Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜的Sol-Gel法制备工艺及铁电性能进行了实验研究,并对于基于静态电滞回线的铁电电容模型进行了理论分析和数学模拟。在Si基BTO铁电薄膜l制备方面, 着重通过实验探索Si基BTO薄膜的工艺参数