在过去几年中，石墨烯的研究报道广泛见诸报端。由于其高强度、高电导率、室温下的高电子迁移率、特殊的量子霍尔效应，使得石墨烯器件在未来有很大的发展空间，优秀的石墨烯器件需要高质量的石墨烯，怎样得到高质量的石墨烯是所有研究人员及本文的主题，本文主要针对石墨烯的生长和表征展开相应的工作：　　1、对采用传统的CVD方法制备石墨烯的工艺进行了研究。利用Cu箔作为催化剂衬底，进行 CVD生长，生长完成后均匀旋涂 PmmA胶并刻蚀催化剂衬底，进行转移后进行电阻率表征，测得方阻为1422Ω/□。　　2、在Si/SiO2基底上采用微波等离子体CVD方法直接生产石墨烯进行了创新性的探索研究。首先研究了以Cu作为催化剂时直接生产石墨烯的工艺参数进行研究，特别地，对甲烷和氢气流量比、生长温度、生长时间等核心参数对石墨烯的质量的影响进行了分析，并对工艺参数进行了优化，探索出了较优化的生长工艺条件。其次对了以Ni作为催化剂时直接生产石墨烯的工艺参数进行系统研究，并获得了最佳生产工艺参数。最后采用NiCu合金作为催化剂对生长石墨烯进行了工艺探索，获得了较理解的生长工艺条件。研究结果表明，采用Ni作为催化剂，可以在较低温度下生产的高质量的石墨烯。　　3、对采用不同催化剂制备的石墨烯进行了系统的电阻率测试和Raman表征。分析和表征结果表明：得出Cu催化剂的最佳生长温度为950℃，CH4流量为25 sccm，H2流量为275 sccm，生长时间为7 min；Ni催化剂时的最佳生长温度为700℃，CH4流量为10 sccm，H2流量为275 sccm，生长时间为3 min；NiCu催化剂的最佳生产温度为950℃，CH4流量为25 sccm，H2流量为275 sccm，生长时间为7 min。　　4、将采用不同催化剂制备的石墨烯进行SEM表征，观察到表面的形貌平整，断裂较少，通过TEM及选区电子衍射图得出石墨烯的晶格完整，缺陷较少，论证实验参数的可行性。在随后进行石墨烯的光学透过率测试结果表明：波数500~4000 cm-1光透过率在95％以上，表明石墨烯薄膜的高光学透过性。最后进行载流子迁移率的测量，得出石墨烯的高载流子迁移特性。