【摘 要】
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AlxZn1-xO三元化合物是一种新型的宽带隙的半导体材料,其ZnO的禁带宽度约为3.3eV,Al2O3的禁带宽度约为5.1eV,理论上可以让AlxZn1_xO薄膜的禁带宽度从3.3eV到5.1eV的连续可调
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AlxZn1-xO三元化合物是一种新型的宽带隙的半导体材料,其ZnO的禁带宽度约为3.3eV,Al2O3的禁带宽度约为5.1eV,理论上可以让AlxZn1_xO薄膜的禁带宽度从3.3eV到5.1eV的连续可调。从而实现A1xZn1-xO三元化合物在可见光发射器件、日盲区紫外线探测等方面的应用。这已经成为当前科研领域研究的热点之一。本文采用双靶溅射磁控溅射法制备AlxZnl_xO薄膜,双靶分别为Al2O3和ZnO陶瓷靶材。靶材采用高温固相法制得,并研究了烧结温度对靶材的影响。AlxZn1-xO薄膜分别选用石英、蓝宝石和硅为衬底材料。实验得出重要结论：ZnO靶材的最佳烧结温度为750℃,Al2O3靶材的最佳烧结温度为1450℃;满足日盲区(220nm至280nm)紫外线探测要求的功率组为石英衬底下,ZnO靶材功率：10W、40W、50W和Al2O3靶材功率：200W,吸收边199nm至287nm连续可调；制备AlxZn1-xO薄膜的最佳衬底为石英。
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