LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件,被广泛应用于各照明与显示领域。随着工艺的提升和市场需求的增长,LED的微型化成为未来发展趋势。Mini-LED甚至Micro-LED的出现,表明了 LED的尺寸已达到微米级别。LED飞速发展的同时,与之相关的检测方法也需得到相应的改进。LED的检测方法主要分为接触式和非接触式,接触式的方法需要将检测仪器的探针接触于LED上进行相应检测,而非接触式的方法一般指检测仪器和分析仪器不直接作用于LED上。目前大多数成熟的检测手段依然是接触式的,尽管这些手段尚能适用,但面对LED做得越来越小的境况,接触式方法的局限性将愈加凸显,甚至不再适用。因此,创新出一些新的检测方法成为一件十分有价值性和前瞻性的工作。基于上述考虑,本文利用LED的光生伏特效应、电磁感应原理以及锁相放大器技术,提出了一种适用于LED的新型非接触电特性检测方法,简称P-E-L 法（Photovoltaic,Electromagnetic,Lock-in）,具体研究内容如下:1、针对LED独特的性质对其光电转换特性进行理论分析,并通过建立等效电路图对其在光注入和电注入情况下的电特性进行分析,得到结论:LED光电转换过程具有相似变化趋势,即光强与电流之间成线性关系;LED在不同注入方式下的电特性近似一致,即正向电流和正向电压之间关系与光电流和光电压之间的关系类似。因此,利用光注入的方式对LED进行非接触式检测具有可行性。同时针对非接触检测中将面临到非接触式信号传输以及检测信号微弱的情况,对电磁感应原理和锁相放大器技术进行研究。进而为P-E-L法检测LED打下基础、提供保证。2、搭建P-E-L法检测LED的实验系统,将特定频率的脉冲式激光作用于待测LED上,使得LED因为光生伏特效应在闭合回路中产生周期脉冲式激发电流,此变化的激发电流由于电磁感应原理在感应线圈中产生特定频率的感应电动势,最后在锁相放大器的作用下,将此具备特定频率的感应电动势的微弱信号还原出来。通过对还原出来的信号进行相应的计算,推导出此光照条件下产生的激发电流。将推导出来的激发电流和参考激发电流进行对比,误差在10%左右,证明了该方法的可行性。同时对误差进行分析,为之后研究提供思路。3、拓展和延伸P-E-L法检测LED的实验,一方面体现在对实验系统更进一步的精简,并通过实验结果证明其依然可行。同时将此时得到的激发电流和之前的进行比较,发现误差更大一些,在14%左右,对此也进行分析。另一方面体现在对实验的补充上,主要包括:通过该方法对LED的激发电压进行推导;对有电路缺陷的LED进行了检测区分;对耦合电路部分进行了仿真分析,发现仿真与实验的波形一致,但幅值因为耦合系数的原因有所不同,从而也推理出P-E-L法实验中产生误差的原因。