本论文主要包括两个方面的研究,一是制备规整的Bi@Bi VO₄纳米球比较其与Bi VO₄的光催化性能差异,二是通过对Bi VO₄进行简单的氟化处理,研究氟离子取代和吸附对其电荷转移行为和光催化性能的协同作用。（1）采用简单无害成本低的方法制备出规整的Bi VO₄和Bi@Bi VO₄纳米球。利用扫描电子显微镜（SEM）,X-射线衍射（XRD）,紫外可见漫反射光谱（UV-DRS）,选取电子衍射（SAED）,荧光光谱（PL）等分析手段对两种产物进行了形貌和结构上的表征。得到的结果表明在可见光下,Bi@Bi VO₄对亚甲基蓝的降解效率高于Bi VO₄。这归结于Bi@Bi VO₄肖特基节的形成,大大抑制了半导体内部光生电子和空穴的复合效率。其中负载Bi的质量比例为10%（Bi/Bi VO₄=10%）的样品活性最好。（2）采用直接的氟化方法来提高Bi VO₄的光催化性能。与未经处理的Bi VO₄相比,经过处理的Bi VO₄样品（0.15F-Bi VO₄,用0.15g NH₄F处理得到）降解亚甲基蓝（MB）和罗丹明B（Rh B）的可见光催化活性分别提高了约1.4倍和4倍。活性增强主要是由于氟离子取代氧离子和表面氟离子的吸附共同促进了电荷转移和分离。氟离子的取代导致氧空位的形成。且氟离子具有很高的电子亲和能,表面吸附的氟离子以及表面氧空位作为电子陷阱,有效地改善了电荷分离效率。此外,氧分子很容易被表面氧空位捕获与电子反应,形成·O^2-。而且表面吸附氟离子有利于染料分子和光催化剂之间的界面电荷转移。