宽禁带半导体材料GaN不仅具有临界击穿电场高、电子饱和速率大等特点，而且AlGaN/GaN异质结可形成高电子迁移率、高浓度的二维电子气（2DEG），使得GaN高电子迁移率晶体管（AlGaN/GaN HEMT）在功率转换器件中备受关注。本文从提高器件击穿电压的目的出发，利用半导体仿真工具Sentuarus TCAD研究了如下内容：（1）比较分析了栅极场板提高器件击穿电压的原因，以及栅极场板对器件击穿时沟道内电场分布的改善作用。该器件的栅极场板结构的最大击穿电压为1100V。（2）提出了间断型栅极场板结构，该结构下的最大击穿电压可达到1244V。（3）提出了栅源复合间断场板结构，器件在该结构下的最大击穿电压为1546V。（4）分析了场板对器件输出电流的影响。综上所述，本文对不同的间断型场板对器件的击穿电压的影响进行了仿真分析，对提高AlGaN/GaN HEMT的实验与制造有一定的指导意义。