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半导体材料在信息发展时代扮演着非常重要的角色。TiO_2由于廉价、无毒、化学稳定性好等特性,被广泛应用于太阳能电池和光伏材料等领域。如果能同时调控TiO_2的磁性和带隙,这将使TiO_2在多功能器件中有着非常重要的发展前景。本论文采用脉冲激光沉积技术在TiO_2半导体材料中掺入Cr、N掺杂剂,通过分析样品的结构、磁性及光学性质,阐述了n-p共掺杂机制在调控TiO_2薄膜的磁性以及光学带隙方面的重要作用。主要研究内容如下:(1)采用脉冲激光沉积技术制备了Cr掺杂TiO_2薄膜,对薄膜的结构、磁性以及光