本文中我们首先对分子器件的基本概念与分子器件从提出到现在的研究中具有代表性的理论和实验研究情况做了简要介绍。然后重点介绍了单分子器件电子输运性质的弹性散射Green函数方法,并由此推导出不同维数下的电流公式。最后在第二章理论的基础上计算二维单层和双层的磷化硅（Si₁P₁）分子结的电子输运特性,并对计算结果进行分析对比。2004年石墨烯的成功剥离开启了全世界范围内人们对二维半导体材料的广泛研究。但是石墨烯的零带隙限制了它的应用,因此在过去的几年里科学家们迫切希望发现新的二维半导体材料。最近科学家们在理论上发现了几种二维磷化硅材料,同时受到单层石墨烯的启发,我们构想了一种新的单层磷化硅材料（Si₁P₁）。磷化硅材料电子输运相关的研究目前还是空白,这激发了我们去探索这种磷化硅材料的电学特性。因此我们结合弹性Green函数理论用量子化学计算方法来研究这两种二维磷化硅分子结（Au-Si₁P₁-Au）的电子输运性质。在杂化密度泛函理论基础上对单层和双层的磷化硅分子结（Au-Si₁P₁-Au）的几何结构进行优化,并计算其电子结构。对磷化硅分子结的计算是在杂化密度泛函理论基础上B3LYP方法的LANL2DZ的基组下通过Gaussian09软件包来实现。单层和双层Au-Si₁P₁-Au分子结的伏安特性曲线（I-V）是用QCME软件包来实现。对计算结果进行分析发现单层和双层扩展分子都具有新奇的电流特性。单层的磷化硅分子结（Au-Si₁P₁-Au）可以在很宽的电压范围内输出稳定的电流,双层磷化硅分子结（Au-Si₁P₁-Au）的输出电流更高。因此磷化硅分子结可能在稳流分子器件中具有潜在的应用前景。