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铁电材料薄膜在动态随机存储器、光电子器件和非挥发存储器等领域具有广阔的应用前景,是目前国际上倍受关注的功能材料。本文以典型的钙钛矿铁电体BaTiO_3为例,应用修正的Landau-Devonshire理论,同时考虑到了膜中应变随位置的变化,基于Pertsev热力学理论分析了的BaTiO_3薄膜介电常数随温度的变化情况。发现衬底与膜间热膨胀系数差、膜的沉积温度都显著的影响BaTiO 3薄膜介电常数的值及其峰值温度,计算结果与实验数据较好地吻合。随着量子计算和量子信息的日益发展,设计强大而有效的