【摘 要】
：
多孔硅发光、SiGe量子结构发光、硅化物发光以及光电探测器等方面都取得了不同程度的进展,其中应变SiGe电子器件与光电子器件成为主要的研究内容.该文正是在此背景下研制了Si
论文部分内容阅读
多孔硅发光、SiGe量子结构发光、硅化物发光以及光电探测器等方面都取得了不同程度的进展,其中应变SiGe电子器件与光电子器件成为主要的研究内容.该文正是在此背景下研制了Si基共振腔结构光电探测器以及异质结光敏晶体管.研究了制作长波长Si基光电探测器所需的高Ge组份Si<,1-x>Ge<,x>/Si多量子阱材料的UHV/CVD生长,特别是对UHV/CVD生长应变高Ge组份SiGe材料的生长条件如生长温度的选择、二维到三维生长模式的转变、生长速率等方面进行了较为详细探索.提出并研制了Si基带隐埋DBR共振腔探测器用材料.用硅乳胶作中间层的键合和智能剥离技术条件进行了多方面的实验研究,成功制作了高反射率的带隐埋DBR的共振腔探测器材料,顶层Si的厚度由注H离子的能量决定,而隐埋反射镜的反射率可达到99﹪以上,并用它完成了器件的制作.用键合和智能剥离技术研制出短波长窄带SiRCE光电探测器,该探测器结构为将薄层Si单晶吸收层置于两个高反射率反射镜形成的谐振腔中构成的,入射光在该谐振腔中得到选择性增强.在900nm处得到了高的共振峰,峰值半高宽25nm.峰值与谷值的比达到4：1,该器件具有较好的波长选择特性.外延生长SiGe/Si MQW材料与Si基SiO/<,2>Si Bragg反射器以硅乳胶作中间层键合,制作出窄带工作于1300nm的共振腔型光电探测器.首次研制了SiGe异质结光电晶体管,该器件以置于集电极与基极间的SiGe/Si MQW作吸收区,以Si/SiGe异质结构作e-b结.
其他文献
该论文所选取的研究对象Fe-Ni即是高饱和磁化强度系列材料中的一种.通过对Fe-Ni合金成分-磁性能相图的观察,我们发现FeNi在铁镍合金中具有最高的饱和磁化强度(1.6T),作为磁头
在影响农村小学教育质量的诸多因素中,教师是最重要的因素.农村小学教师生存现状直接影响农村小学的教学质量,影响着农村学生的个体发展,从而影响着农村基础教育的整体水平.
铁电阴极材料是一种在脉冲电压或激光激励下发射电子的新型阴极材料,本论文主要从理论和实验两个方面对铁电阴极发射特性及铁电体触发开关进行初步研究。第一章是绪论,主要介绍了铁电体阴极以及铁电体触发开关的国内外研究现状以及本论文的结构。第2～3章对铁电体触发极进行了理论分析及实验研究,主要得出以下结论:1.从铁电体的微观及热力学角度分析,如果不考虑空间电荷作用时,阴极的发射能力与极化电场关系密切,增加极化
文章对器件选择和各功能硬件软件的设计进行了详细的阐述和计算讨论.通过采用有源电桥,实现了测温电路输出与输入的线性对应;以相当简单的数字模型,实现了关键元部件的故障诊
自从磁性多层膜和颗粒膜系统中发现巨磁电阻（GMR）效应以及在磁性隧道结中发现隧道磁电阻（TMR）效应以来,由于它们具有潜在的应用价值和丰富的物理内容,自旋极化的电子输运已经成为
近场光学（NFO,Near-Field Optics）是二十世纪九十年代光学领域中一支新生的交叉学科,并随着近场扫描光学显微镜（NSOM,Near-field Scanning Optical Microscopy）的诞生与随后的广
测量了TGS晶体,锰锌铁氧体的铁电/铁磁微分回线,并用高斯/洛伦兹线型函数进行拟合分析.从而用一种新的实验方法观测了铁电体的铁电性,并发现可用高斯/洛伦兹线型函数将铁电/
另一个英文词汇没有得到人们的宽容和认可。Pussy原指小猫,但生活中这一含义的应用并不广泛,在俚语里,它有个粗鄙的侮辱性含义用于指代女性生殖器。美国总统竞选期间,共和党
近二十年来，铁电材料由于铁电存储器的实现而被广泛研究.但现有用于铁电存储器的两种铁电材料PZT和SBT存在着或多或少的缺点.如PZT薄膜在普通的Pt电极上耐疲劳性较差，SBT的剩余
著名物理学家杨振宁说到:“成功的真正秘诀是兴趣。”兴趣是学习重要的心理条件,小学生对学习有无兴趣,效果截然不同。在小学作文教学中渗透激趣法,对于提高小学生的写作能力