【摘 要】
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本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(InN)的电学输运性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性质到目前为止还不很清楚。因此很有必要对氮化铟的电学输运性质作一个详细的研究。首先介绍了半导体电学输运性质的研究方法和实验仪器,还简要介绍了拉曼光谱仪和空间相干模型作为电学研究的补充。接着对氮化铟薄膜的经典输运性质进行了研究。用迁移率谱分析方法研究了InN的表面和体载流子的
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本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(InN)的电学输运性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性质到目前为止还不很清楚。因此很有必要对氮化铟的电学输运性质作一个详细的研究。首先介绍了半导体电学输运性质的研究方法和实验仪器,还简要介绍了拉曼光谱仪和空间相干模型作为电学研究的补充。接着对氮化铟薄膜的经典输运性质进行了研究。用迁移率谱分析方法研究了InN的表面和体载流子的对体系输运的贡献。并且通过深入研究了这两种载流子的迁移率和浓度随温度变化的性质,
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