GaAs/AlGaAs多量子阱和LT GaAs薄膜的光折变性质的理论和实验研究

来源 :南开大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cs_200901
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半导体多量子阱和薄膜的电光效应和光折变效应是近年来的热门研究课题,其光折变效应中的二维光栅动力学问题更是近年来的热点.该论文对光折变半导体多量子阱纵向模式二维光栅动力做了较为深入的理论研究.另外,该论文还对GaAs/Al<,0.3>Ga<,0.7>As多量子阱和低温分子束外延GaAs薄膜进行了二次电光效应和二波混频光折变效应的实验研究.通过研究人员的研究取得了一些有意义的研究结果.对于两种样品,由二波混频得到的有效电吸收△α<,eff>和有效电折变△n<,1>与由电调制透射谱得到的电吸收△α和电折变△n相比,符合得较好.
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