脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒空间分布的电流信号研究

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本工作利用了数字示波器对脉冲激光烧蚀过程进行监测。在靶前1.5cm处放置一中心带孔的挡板以用来获取沿靶前轴向运动的烧蚀产物,挡板后放置一电极板用来接收传输过来的烧蚀粒子,由于粒子带电,产生的电流被电路中的示波器采集。通过分析不同背景气体压强下的电流信号,结果证实了电流信号的各个峰所代表的意义。结果显示,极板与靶距离为2.5cm时,极板上所接收的纳米硅晶粒数目最多。在空间上随着偏离靶轴向角度的增加,纳米硅晶粒的数目越来越小。为了验证电流信号所得规律的正确性,设计了加入棒状电极引入了一个散射电场对烧蚀过程影响的实验。在距离靶前水平方向放置了半圆石英玻璃托,以用来放置衬底制备薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼散射仪和扫描电子显微镜对薄膜进行了内部结构和形貌进行了表征。实验结果表明在散射电场的影响下纳米硅晶粒平均尺寸分布变宽。利用MATLAB对引入散射电场之后进行数值模拟分析,分析结果与实验结果规律一致。本工作通过新的检测手段对烧蚀过程进行检测,并提出了一种新的实验手段对其进行验证,为更好的控制纳米硅晶粒薄膜的平均尺寸提供了一定的依据。
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