在过去的几十年里,随着无线通信技术的不断创新发展,移动通信、卫星导航、射频识别,大数据物联网、可穿戴技术等一系列技术得到了前所未有的发展。射频发射机结构朝着高集成度、低功耗、低成本的方向发展。射频功率放大器是发射机的重要组成部分,其性能指标的好坏直接关系到发射机的性能。GaAs工艺一直是射频功率放大器的理想制造工艺,但由于其成本高且与当下普遍使用的CMOS主流工艺无法兼容的,高集成度、低功耗CMOS射频功率放大器的研究已成为学术界和工业界的研究热点。利用TSMC0.18μm CMOS工艺,设计出了一款工作于2.4GHz的高效E类射频功率放大器。首先,本文研究和介绍了各种射频功率放大器的理论原理,相关的各项指标参数以及优缺点,并对各种射频功率放大器的性能加以对比,使得对射频功率放大器的选择更加清晰。其次,采用不同于传统的射频功率放大器的设计方法,在TSMC 0.18μm CMOS的工艺下,利用cadence EDA仿真平台,采用反相器级联作为前置驱动,克服了传统驱动力度不足的问题,采取差分结构输出功率的电路结构,设计出了一款输出饱和功率高达29dBm、漏极附加效率为66%的射频功率放大器。最后,利用cadence Virtuoso完成了整个电路的版图设计。