近几年,微电子器件正朝着小型化以及集成化的方向迅速发展,这导致大量的电子元件都集中在一个狭小的空间内运行并产生大量的热量。这会影响设备的正常使用。因此,我们需要开发出具备高电绝缘性和高导热性的聚合物基复合材料作为电子封装材料来增加电子设备的使用寿命。大部分聚合物材料都具有良好的电绝缘性、回弹性以及可加工性,但是聚合物材料的热导率普遍较低,这限制了其在微电子领域的广泛应用。因此,我们需要采取一定的措施来提高聚合物材料的导热性能。目前,最常用的方法是向聚合物材料中加入一些高导热的填料颗粒来提高聚合物材料的导热性能。一些陶瓷类的材料拥有较为优异的性能,被广泛的应用作聚合物封装材料的填料,其中,氮化硼（BN）热导性能优异、耐热冲击性较高、热膨胀系数较低并且介电常数和介电损耗也相对较低,被认为是用来提高聚合物热导率的理想填料。此外,我们还可以向聚合物基体中添加不同形状及种类的填料,使这些填料在聚合物基体中构建热传导网络来进一步提高聚合物材料的热导率。本文利用倍半硅氧烷（POSS）对BN和氮化硼晶须（BNw）进行改性,并以聚苯并恶嗪（PBz）为基体,以改性后的BN和氮化硼晶须（BNw）为填料,制备了BN/BNw/PBz复合材料,研究了 BN和BNw的含量、改性以及两者之间的协同效应对PBz复合材料性能的影响。研究结果表明,随着填料含量的增加,PBz复合材料的热导率也随之提高。当同时填充25 wt%m-BN和25 wt%m-BNw时,PBz复合材料的热导率达到1.27 W/mK,是PBz基体的热导率的5.5倍。介电常数（ε）和介电损耗（tanδ）分别为3.83和0.0078。30%失重时的热降解温度（T30）和热阻指数（THRI）分别为557.72℃和242.26℃,比PBz基体的T30和THRI高出58.84℃和17.8℃。抗拉强度的值为47.71MPa。同时,利用KH560对BN和SiCw改性,利用KH540对MgO改性。并以KH540-MgO为交联剂,通过酰胺反应,将KH560-BN和KH560-SiCw连接在一起,得到BN-MgO-SiCw复合填料,并填充到PBz基体中。研究了 BN-MgO-SiCw复合填料的含量和协同效应对PBz复合材料性能的影响。研究结果表明,填料的加入能够明显的提高PBz复合材料的热导率。当BN-MgO-SiCw的质量分数为50wt%时,复合材料的热导率为1.41W/mK,比PBz高5.1倍。ε和tanδ分别为0.013和6.91。T30和THRI分别为572.21℃和243.96℃,比PBz基体的T30和THRI高出73.33℃和19.5℃。抗拉强度的值为49.97MPa。此外,利用KH560对BN进行改性,利用KH792对Cf进行改性。并且通过KH560与KH792之间的相互作用得到BN-Cf复合填料。将PBz作为基体向其中加入不同质量分数的BN-Cf,通过热压的方法合成了 BN-Cf/PBz复合材料。研究了 BN-Cf复合填料的含量以及协同效应对PBz复合材料性能的影响。研究结果表明,随着BN-Cf加入量提高,PBz复合材料的热传导系数也不断提高。当BN-Cf的加入量为50wt%时,PBz复合材料的热导率为1.42W/mK,比PBz高出5.2倍。ε和tanδ分别为6.57和0.0083。T30和THRI分别为537.5℃和237.54℃,比PBz基体的T30和THRI高出38.62℃和13.08℃。抗拉强度的值为50.64MPa。