无机氧化物薄膜在现代微电子学、固体电子学和光学工程中有广泛的应用。氧化物薄膜的制备已经成为凝聚态物理学的一个研究热点。传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等。但是，这些方法大多要求非常复杂的实验设备，而且不容易操作。一种新的制备氧化物薄膜的方法——化学液相淀积（CLD）于1988年被Nagayama等人首次提出。它可以在更为简单的实验条件下制备氧化物薄膜，因此引起了人们的极大兴趣。但是，在全球范围内，化学液相淀积氧化铝薄膜尚未被研究过。在本文中，我们将报导制各氧化铝薄膜的CLD新方法。首先，我们先仔细研究了化学液相淀积氧化硅薄膜的过程（主要是参考Houng等人的工作）。然后，通过一套包括浸在水浴装置中的聚四氟乙烯生长室的实验装置系统，我们完成了化学液相淀积氧化铝薄膜的实验过程。制备生长液所用的化学试剂包括Al₂（SO₄）₃·18H₂O、NaHCO₃和去离子水。这是一个无机盐水解和高温退火的过程。薄膜的质量用AFM、AES、EDS、XRD、FTIR等实验手段进行表征，结果显示制得的三氧化二铝薄膜表面均匀而平整，化学组份纯正（不含氢元素），而且属于高硬度的晶态超薄膜。