相变存储器是以相变材料为存储介质的新型非易失性半导体存储器，它利用电脉冲产生的焦耳热使相变材料产生较大阻值差异的可逆相变实现信息存储，因此脉冲电流源是相变存储器实现信息存储的关键器件，本文采用两种方案对用于相变存储器测试的精密脉冲电流源进行研究设计。本文根据相变存储器的工作原理以及其对测试用脉冲电流源的要求，采用模块化设计思想，利用现有集成度高的成熟芯片设计了用于相变存储器测试的超宽带精密电流源。纳秒级窄脉冲产生电路采用数字电路方法，利用CPLD芯片作为脉冲产生电路的逻辑控制单元，在精密可编程延迟芯片DS1020的作用下产生脉冲宽度步进可调的纳秒级窄脉冲,脉冲幅值控制电路是由D/A转换芯片产生的模拟电压控制，最后电流驱动部分采用激光二极管驱动芯片EL6257实现，脉冲电流的幅值和宽度可以通过上位机设置。本文针对相变存储器高速低功耗测试的需要，对一种基于MOS管的低功耗精密电流镜进行了研究分析，并利用Pspice仿真软件，建立仿真模型，基于TSMC0.18μmCMOS，BSIM3，Level49工艺对此电流镜的性能进行仿真验证，仿真结果表明此电路输出电流精确度高稳定性好，并且可以达到很宽的带宽，适合用作相变存储器测试的激励脉冲源。同时本文针对脉冲电流源的具体应用，介绍了相变存储单元瞬态电流的测量方法，并根据测量电路等效电路模型分析影响测量的因素，最终实现了相变存储单元瞬态电流，R-I特性曲线的精确测量。研究结果表明，本论文研究设计的精密电流源在脉冲宽度和脉冲幅值上可精确可调，为相变存储器的测试奠定了基础。