【摘 要】
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氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体材料(室温下禁带宽度为3.37eV),具有比GaN更高的激子束缚能(60meV),具有良好的压电和光电等性能,继GaN之后成为光电研究领域的又一热门研究
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氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体材料(室温下禁带宽度为3.37eV),具有比GaN更高的激子束缚能(60meV),具有良好的压电和光电等性能,继GaN之后成为光电研究领域的又一热门研究课题。可用于制备表面声波器件、太阳能电池、压敏器件、气敏器件、紫外探测器、发光器件等,可应用于民用及军事等很多领域。采用金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)方法生长ZnO薄膜材料。在不同条件下,通过对薄膜材料进行测试表征,及有关特性分析,结果表明在400℃下生长的ZnO薄膜材料具有较好的结晶特性和光电特性。本文在利用MOCVD法生长出的ZnO薄膜基础上,设计、制备了叉指状电极、金属-半导体-金属结构、不同指长指宽及指间距的氧化锌紫外探测器。对器件的性能进行了测试和分析。I-V特性曲线显示正向偏压下光照电流及暗电流与外加偏压呈线性增长。光谱响应曲线表明探测器对紫外波段敏感,峰值响应在375nm附近。
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