【摘 要】
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在CMOS射频集成电路中,变压器(Transformer)是一种重要的无源片上元件。从结构上分,主要有两种实现方式:平面螺旋变压器和叠层式螺旋变压器。它可以用于诸如低噪声放大器、压控振荡器、双平衡混频器和功率放大器等电路中,来实现阻抗匹配、差分与单端信号转换、交流耦合和增加带宽等功能,实现更高的集成度和降低生产成本。由于CMOS硅基衬底的导电性,变压器在高频时会受到严重的衬底耦合效应的影响,不但大
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在CMOS射频集成电路中,变压器(Transformer)是一种重要的无源片上元件。从结构上分,主要有两种实现方式:平面螺旋变压器和叠层式螺旋变压器。它可以用于诸如低噪声放大器、压控振荡器、双平衡混频器和功率放大器等电路中,来实现阻抗匹配、差分与单端信号转换、交流耦合和增加带宽等功能,实现更高的集成度和降低生产成本。由于CMOS硅基衬底的导电性,变压器在高频时会受到严重的衬底耦合效应的影响,不但大大降低了它的品质因素,也给精确建模工作带来了困难。变压器主要受到四种高频效应的影响:金属微带线的趋肤效应
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