WO3是一种典型的n型半导体过渡金属氧化物，具有优良的气体探测、光电转换、催化等性能，广泛应用于传感、能源、环保等领域。近年来，一维结构的WO3纳米材料，由于其独特的形貌和优异的物化特性，有望为新颖高效的微纳光电器件研发带来契机。本课题论文围绕新颖高效的WO3光电探测器和光电催化剂研发开展工作，采用静电纺丝技术制备WO3低维纳米结构，并通过工艺的探索和优化，实现了高纯度WO3纳米带的可控制备。为了进一步强化其性能，对其介孔结构和半导体复合材料的制备进行了探索和优化，表征和分析了其光电探测和光电催化性能。综合本论文工作，所取得的研究成果如下：(1)以六氯化钨(WCl6)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为原料，无水乙醇和N,N-二甲基甲酰胺为溶剂配制前驱体纺丝液，通过调控静电纺丝的电压关键工艺参数，实现了WCl6/PVP前驱体纳米带的制备，然后在空气中煅烧处理，实现了高纯度一维带状结构的WO3纳米材料的可控制备。其光电探测研究结果表明，WO3纳米带光电探测器对光响应有优良的灵敏性和选择性，且具有良好的可重复性和稳定性，其光暗电流比高于1000，比迄今文献报道的基于WO3纳米材料的光电探测器的光暗电流比高5倍以上；其光谱响应率和外量子效率分别为2.6×105A/W和8.1×107%，与目前国际上报道的最优值相当。(2)以茶皂素（Tea-s）为微发泡造孔剂，采用发泡剂辅助静电纺丝法，通过调控纺丝液中茶皂素含量，实现了高纯度WO3介孔纳米带的可控制备，其最佳添加量为14.5wt%。(3)在前驱体纺丝液中引入g-C3N4，采用发泡剂辅助静电纺丝法，实现了高纯度WO3/g-C3N4宽窄带复合介孔纳米带的制备。研究结果表明，相比纯相WO3介孔纳米带，其光电催化性能提高3倍以上。