【摘 要】
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ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,晶体结构具有六角纤锌矿型,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜的高电阻率与单一的C轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可用于各种压电、压光、电声、声光器件和表面型气敏元件。不掺杂的ZnO薄膜的性能不是很稳定,通过掺杂不同的元素,可应用于还原酸性气体、可燃性气体、CH族气体探测器、报警器等。此外,它还在
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ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,晶体结构具有六角纤锌矿型,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜的高电阻率与单一的C轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可用于各种压电、压光、电声、声光器件和表面型气敏元件。不掺杂的ZnO薄膜的性能不是很稳定,通过掺杂不同的元素,可应用于还原酸性气体、可燃性气体、CH族气体探测器、报警器等。此外,它还在蓝光调制器、低损失率光波导、液晶显示、光催化、电子摄影机、热反射窗等领域具有潜在应用。ZnO薄膜以其性能
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本论文采用水热处理工艺,以氧氯化锆为原料,尿素为沉淀剂,CTAB为表面活性剂,氧化钇为稳定剂,水和乙醇为介质,制备了具有特殊形貌和不同微观结构性能的氧化锆粉体。并利用XRD、SEM、粒度分析等检测方法系统地考察了醇水比、锆碱比、水热处理温度、水热处理时间等制备条件对氧化锆粉体影响。研究结果表明,未加稳定剂时,水热制备出了单斜和四方混相的球形二氧化锆粉体,粒径约5μm左右。以氧化钇为稳定剂时,得到了
YAG晶体具有良好的透明度、化学稳定性、机械强度和导热性,更为重要的是YAG晶体的各向同性；无论作为功能材料,还是作为结构材料均显示出广泛的应用前景。Nd:YAG单晶是目前最常用的四能级固体激光器基质材料。现阶段YAG单晶最主要的制备方法就是Czochralski提拉法,由于YAG单晶制备条件的局限性,大尺寸的YAG单晶难以制备。1995年,A.Ikesue等首次采用Nd:YAG多晶透明多晶陶瓷实
芳香族聚酰亚胺(PI)薄膜以其具有高强度、高模量、高耐热性和机械性能,优良的电性能和耐久性,突出的介电性能与抗辐射性能,可被广泛应用于柔性电子材料,微电子封装和太阳能电池等领域。在PI薄膜表面制备无机功能化材料使其同时拥有有机和无机材料的优异性能,并达到协同优化的效应,也因此具有了广泛的应用前景。金属镍的导电性,磁性能和热力学性能,金属铜的高导电性,硫化钴的半导体性能再加上PI的轻质、高强、耐高温
本论文采用水热处理工艺,以氯化镁为盐,尿素为沉淀剂,分别采用柠檬酸钠和壳聚糖辅助水热反应,在不同的水热条件下制备了具有特殊形貌和不同微观结构性能的单一物相组成的无水碳酸镁粉体和氧化镁粉体。并利用XRD、SEM、粒度分析等检测方法系统地考察了柠檬酸钠和壳聚糖的加入量、盐碱比、水热处理温度和水热处理时间等制备条件对无水碳酸镁和氧化镁粉体的影响。在柠檬酸钠辅助水热法制备无水碳酸镁粉体的实验中,通过改变柠
近年来,铜铟硒类薄膜太阳能电池由于材料较佳的光学能隙(Eg)、吸收率高(105/cm)、抗辐射能力强和长期稳定的性能而备受人们关注,而且其生产也正趋于工业化,如何降低生产成本和提高电池的转换效率成为研究的重点,其中吸收层材料是影响电池光电转化率的关键因素。研究发现,通过用Ga和Al部分替代In进行调节,可获得较宽的禁带宽度和太阳光谱的匹配度,从而提高CIS类薄膜太阳电池的光电转换效率,而且还可以降
硼掺杂金刚石(BDD)具有电势窗口宽广(3V左右)、析氧电位高、背景电流低、抗腐蚀性高、化学稳定性高等特点,是适用于电化学和电化学工程领域的极佳电极材料。BDD薄膜电极的潜在应用领域之一是污水处理,相关研究日益广泛。近年来,关于钛基BDD薄膜电极的研究报道日益增多。一般情况下,BDD沉积在硅基底上,然而金属材料基底电阻率低且可镀膜表面积较大,因此更适合电化学领域的应用要求。钛金属具有电导率高、耐腐
稀士元素具有独特的4f电子结构,被誉为新材料的宝库,在工业及新材料制备上得到广泛的应用。氧化镧超细粉体具有许多独特的性质,在许多领域具有广泛的应用,如在汽车废气的处理,气体催化剂载体,甲烷氧化耦合催化剂,光学玻璃,陶瓷,电极的制备中有着应用。但目前的制备技术还存在一些未解决的问题,如产品质量、纯度、粒径等问题,此外,开发氧化镧超细粉体制备技术,可以增加高丰度稀土元素镧的工业应用,解决镧的积压问题。
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LaAMnO (A=Ca、Ba、Sr、Pb)材料因为其大的超巨磁阻效应,作为制作光探测及磁电子器件的重要材料而受到广泛关注。张鹏翔等研究发现Ag掺杂对外延生长的LCMO薄膜的金属—绝缘转变温度和热电信号具有重要影响。而Ag掺杂的机制及不同掺杂量对磁电子器件热电性能的影响需要做系统深入的研究。本文分别通过固相法和化学共沉淀法制备了La2/3Ca1/3MO3:Agx (LCMO:Agx,其中,x定义为