随着功率半导体技术的发展,超结VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)由于其导通电阻低、开关速度快、工作频率高等在开关电源领域具有非常广泛的应用。但超结VDMOS存在两个主要的问题,一是工艺难度大,二是超结VDMOS的漂移区具有较大结面积的寄生体二极管,这会造成体二极管反向恢复阶段巨大的能量损失。而要解决反向恢复阶段能力损失的问题,就需要对超结VDMOS的反向恢复特性进行深入研究。本文先从理论层次上概括了超结VDMOS的发展,重点阐述了超结VDMOS与体二极管反向恢复基本理论。然后对常规超结VDMOS不同区域的掺杂浓度与体二极管反向恢复特性之间的关系进行仿真分析,如N~+-sub、N-pillar、P-body等。仿真结果表明:P-pillar区和N-pillar区掺杂浓度、P-pilar区和N-pillar区宽度、P-body区掺杂浓度等参数对超结VDMOS反向恢复特性具有较大的影响,其中较窄P-pillar区、较宽N-pillar区更有利于降低超结VDMOS的反向恢复特性。为了更好地满足实际需求,本次研究新建立了双沟道超结VDMOS结构优化器件的反向恢复特性,提出的双沟道结构分别在栅极区域和JFET区上方建立源极,JFET上面依次新建立N-pillar区、P-body区和N+源区,该新建区域与新建立的源极形成了两个源极控制的MOS结构。双沟道结构通过控制接触区域的二氧化硅厚度使源极控制的MOS开启电压小于常规PN结的导通电压,形成源极控制的MOS率先于体二极管导通,减小N-pillar区域的电子对P-pillar区域的注入。该结构通过改变超结VDMOS反向导通阶段N-pillar漂移区的电子空穴浓度,实现了双沟道结构对超结VDMOS反向恢复特性优化目的,其反向恢复性能提升了约26%;同时新加入的区域与栅极形成了两条正向导通路径,优化了双沟道结构的饱和电流特性。