随着社会科技的进步,军事和民用的探测器也逐渐发展起来,紫外探测器和红外探测器是两种较为常见的光电探测器。目前,研制出的紫外-红外双色探测器所需材料生长困难,制备工艺复杂,制作成本高,集成后的器件响应度比较低。本设计研发出的双色探测器不但降低了制备器件的难度,在器件性能上也有所提高。本设计从理论分析设计入手,通过模拟器件来设计器件制备的工艺过程,并搭建测试系统对器件的探测性能进行了测试。得出了探测器的量子效率对偏压和频率的依赖关系,发现随着两者的增大,探测器的量子效率分别随之增大和减小;实验发现了在低温环境下紫外探测器的响应特性,通过降低温度可以提高紫外探测器的光-暗电流之比并且减小下降时间。本文利用前期已经制备的高Al组分的AlGaN制备性能更加完善的MSM结构紫外探测器。同时采用化学气相沉积法生长石墨烯,并对其进行表征。使用高质量石墨烯制备出性能更加完善的红外探测器。本文设计出的基于AlGaN和石墨烯的紫外-红外双色探测器不但减弱了集成难度,在制备器件过程中也减少了工艺成本。在性能方面它既能探测紫外波段,又能探测出红外波段,并且可以减少错误报警频率。将双色探测器放置于室温下,调制频率为209 Hz,外置电场分别为10 V和5 V,探测器在263 nm处的响应度为5.9 mA/W,在1.15μm处的响应度为0.67 mA/W,并且探测器的响应度均随着工作电压的增加而增大。双色探测器的成功制备使其在光电领域占有一席之地。