以闪烁体为核心的闪烁探测器广泛应用于科研、医疗、工业生产等领域，在高能物理、核医疗技术上的应用更是关注的热点。钨酸镉(CWO)晶体性能优良，突出优点：对X射线吸收系数大、辐射长度短、辐照硬度大、发光与半导体光探测器的光谱灵敏度曲线相匹配等。　　 本文对CWO晶体生长及其闪烁性能进行了研究，用提拉法生长出困内尺寸最大、光学品质优良的CWO，Gd：CWO晶体(φ57mm×45mm，φ60mm×34mm)；对CWO晶体系统研究了退火气氛、温度、时间等对其光学性能的影响。为提高辐照硬度，掺入Gd2O3(251ppm)，成功生长出Gd∶CWO晶体，采用γ射线对掺杂前后晶体进行了辐照实验，经104rad，105radγ射线辐照后，掺杂前晶体透过率和发射强度(470nm)分别下降了10.5％，23.6％，27.4％；而掺杂后只分别下降了2.1％，4.7％，9.5％。X射线Rietveld全谱拟合法研究了CWO晶体结构，精确给出了其品格参数，首次报道了Gd∶CWO品格参数：a=5.010(A)，b=5.839(A)，c=5.058(A)，β=91.52°。Gd占据了Cd格位，故品格参数变小。晶体的发光特性研究表明：在10-300K内，CWO发光温度稳定性较好，发光峰位置、发光积分强度随温度变化很小；Gd∶CWO温度依赖性较强，掺Gd使晶体的发光猝灭温度降低。本文工作对CWO晶体生长、退火实验和理论研究等取得了重要的创新成果，为进一步提高品体生长质量、优化退火工艺及掺杂其它离子改性研究等具有指导意义。