本文所得到的第三代TTF型电子给体的I类前体结构及其二阶非线性强度。 1.第三代TTF型电子给体的Ⅱ类前体的合成、结构 Ⅱ类前体是两个不同Ⅰ类前体耦合而成。选取腈乙基为保护基相比采用对苯乙酸基为保护基，可以增大耦合产物的极性，提高分离效率，从而提高耦合反应的产率。 2.第三代TTF型电子给体的Ⅲ类前体(直接前体)的合成、结构作为第三代TTF型电子给体的直接前体，我们合成了1，2-双硫甲基-5-酮-四硫并环戊二烯(1，2-bis(methylthio)-5-one-tetrathiapentalene(BMO-TTP))，并且报道了其结构；还合成了1，2-双硫亚乙烯基-5-酮-四硫并环戊二烯(1，2-bis(vinylenethylthio1)-5-one-tetrathiapentalene(BVO-TTP))。此步反应为在合成第三代TTF型电子给体中的一系列反应中最为关键的一步，因为在反应过程的中间产物对氧气极为敏感，庆幸的是最终产物为稳定产物。我们建立了Schlenk无水无氧反应装置，攻克了此难关，为后续工作铺平了道路。 3.第三代TTF型电子给体的合成、结构及性质 4.本论文还在探索会属二硫烯配合物型分子导体方面做了若干工作，合成了两个属于非中心对称空间群的金属二硫烯配合物(NMe<,4>)<,2>[Cd(dmit)<,2>]、(NMe<,4>)<,2>[Hg(dmit)<,2>]，它们的SHG强度分别为尿素标样的0.5倍、0.6倍。导电性和非线性光学性质的兼容性在这罩得到体现。 5.在采用水热法探索合成新型分子导体化合物的过程中，得到了两个以邻啡哕啉和五方酸为配体的新型含π共轭的金属配合物品体，探讨了其结构特性。