ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族半导体，是一种宽禁带直接带隙材料。在室温下其激子结合能高达60meV，禁带宽度约为3.37eV，具有优异的光电性能，成为近十年来各国研究的热点，是制作下一代短波长发光器件的最佳选择之一。随着ZnO半导体材料研究不断取得优异成果，基于ZnO器件，尤其是在光电子器件领域的研究取得了较大突破。利用ZnO研制出了表面声学波器件（SAW）；借助ZnO中氧空位自身的特殊导电机制，还可用来制造氧气传感器等等。将不同含量的Mg元素掺杂入ZnO纳米材料中，可以调制其禁带宽度，这一性能的变化使得ZnO纳米材料在半导体激光器件中的应用优势更加突出。本文用化学气相沉积（CVD）的方法，成功制备出ZnMgO微纳米球壳结构以及一维纳米结构，对其性能进行了表征与测试，讨论了其形成机理，并对其发光特性进行了探讨。其中取得的主要结果如下：1.用化学气相沉积法，通过一次升温，制备出了ZnMgO微纳米球壳结构。球壳的直径从200nm-3μm，球壳内外壁上均附着有纳米颗粒，并且随温度升高，小颗粒会朝一个方向生长，有逐渐变成纳米短棒的生长趋势。2.用化学气相沉积法，通过二次升温，制备出了辐射线状和棒状的ZnMgO纳米线材料。随后分别用同波长的光激发不同温度和不同Mg含量的Mg掺杂ZnO纳米材料的发光特性作了研究。通过测得的发光峰位置的变化探讨了这种材料可能的发光机理。3.在Pt/TiO₂/SiO₂/Si衬底上制备的样品表面镀Pt电极，测试I-V曲线。发现样品具有单极性电阻开关效应，RH/RL在35-48倍之间，而且开启电压和重置电压都比较小，并且详细分析了样品的阻变转换机制。