硅微通道在微光夜视,光电倍增管,X-射线增强器等领域中得到广泛应用。为了满足微通道板电子倍增器件的要求,需要使用热氧化的方法在微通道内部产生一层起电绝缘作用的二氧化硅,二氧化硅薄膜层具有高击穿电压,可满足电子倍增器对高压的要求。所以在氧化过程中要找到合适的参数值和制备工艺,使得二氧化硅绝缘层的厚度、击穿电压满足要求。本文主要针对在制备二氧化硅薄膜过程中的氧化绝缘和热应力问题进行实验,实验分别对硅微通道阵列在干氧氧化8小时和湿氧氧化8小时,制得的干氧二氧化硅薄膜绝缘层厚度为458nm和制得湿氧二氧化硅薄膜绝缘层厚度为1.4μm。并且在48小时湿氧氧化条件下,制的二氧化硅绝缘层击穿电压大于1000V。通过ANSYS软件模拟分析硅微通道阵列上二氧化硅绝缘层应力分布主要区域。热应力较大的区域分布在硅片Si-SiO2界面处,选用模拟条件1100℃氧化温度硅微通道进行模拟分析,得出热应力最大值为420.639MPa。并通过退火制备出表面击穿电压分布均匀的二氧化硅绝缘层。