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磁电子材料在当代信息技术中发挥着重要的作用,它作为一种新型的功能材料,同时调控电荷和电子自旋从而使材料兼具磁性和半导体两种材料的性能。本文所研究的化合物中含有稀土元素、半导体元素In以及少量过渡族磁性元素Fe,希望通过4f稀土元素与3d过渡族磁性元素Fe的相互作用(3d-4f以及3d-3d相互作用),可以调控磁结构。本文采用真空电弧炉在高纯氩气氛围下制备了 RIn3-xFex(x=0-0.1)体系若干个样品。利用TREOR程序软件对RIn3-xFex系列合金的衍射峰进行了指标化,从而获得了所有样品主相的点阵常数和晶胞体积;利用Rietveld对其结构进行精修;采用振动样品磁强计测试了样品的磁化曲线,并用相关模型进行拟合讨论。根据测试和对测试数据的分析处理,RIn3-xFex;系列化合物的主相均为AuCu3型的RIn3相,空间群为Pm3m,稀土元素R占据1a(0,0,0)晶位,半导体元素In占据3c(0,0.5,0.5)位,磁性元素Fe部分取代In元素,占据3c(0,0.5,0.5)晶位。随着Fe元素的掺杂量逐渐增加,晶格常数a以及晶胞的体积V的值呈现出逐渐递减的趋势,这和掺杂元素的原子半径相关。在掺杂的合金化合物中,都出现了少量的In单质。HoIn3-xFex的SEM分析结果显示样品掺杂含量很低时颗粒较细,成分均匀,掺杂含量较高时,粉末颗粒变大且形成了团聚。能谱分析结果显示样品实际成分与目标成分有偏差,与XRD观察结果相符。室温下(300K),PrIn3-xFex、NdIn3-xFex、GdIn3-xFex、HoIn3-xFex 合金化合物的磁性对掺杂元素Fe的含量非常敏感,从M-H曲线拟合的结果可知,未掺杂磁性元素的样品都表现出顺磁性,随着掺杂元素Fe含量的增加,样品逐渐呈现出铁磁性和顺磁性的混合磁性,饱和磁化强度Ms随着Fe含量的增加而增大。对掺杂含量为0.1的样品计算了有效原子半径和有效电负性,结果显示两个有效值均处在RIn3可成相的范围内。综合以上研究结果得出RIn3-xFex合金化合物随着掺杂元素含量的升高,晶体结构的稳定性出现下降,合金的磁性得到明显改善。