三元层状陶瓷材料Ti₃AlC₂综合了陶瓷和金属的优异性能，可以作为铜基复合材料的一种新型增强相，从而拓展其应用范围。然而高纯度的Ti₃AlC₂粉体的制备一直存在着困难，本文借鉴了本实验室提出的以Sn为添加剂通过元素单质粉反应合成Ti₃AlC₂粉体的方法，成功地批量合成Ti₃AlC₂粉体。为了更好地了解Ti₃AlC₂性能，热压合成了Ti₃AlC₂块体材料：以元素单质粉为原料在不同烧结温度和保温时间下，均不能获得高纯度的Ti₃AlC₂块体，杂质相TiC的存在影响块体的性能；采用以Sn为添加剂的与合成粉体相同的配方可以得到高纯度的Ti₃AlC₂块体，其电阻率为0.3656μΩ·m，抗弯强度达340MPa。分别采用上置浸渗法、蘸液浸渗法和热压法在不同的工艺条件下首次制备了Ti₃AlC₂／Cu复合材料：上置浸渗法制备得到的Ti₃AlC₂／Cu复合材料存在一定气孔率，且随着浸渗时间的延长，会有更多的铜进入坯体，有利于提高复合材料的导电性能，同时使其具有一定的塑性变形能力；蘸液浸渗法制备Ti₃AlC₂／Cu复合材料要求坯体具有一定的强度；热压法制备得到致密均匀的Ti₃AlC₂／Cu复合材料，其电阻率随着增强相含量的增加而增大；30vol％Ti₃AlC₂的复合材料的抗弯强度最高，达1033MPa。