【摘 要】
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该文在把握低温共烧陶瓷(LTCC)和AlN陶瓷研究现状和动向的基础上,对AlN陶瓷基板的低温烧结和共烧银金属化进行了探讨研究.为AlN封装互连基板的低温共烧工艺积累了实验数据.主
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该文在把握低温共烧陶瓷(LTCC)和AlN陶瓷研究现状和动向的基础上,对AlN陶瓷基板的低温烧结和共烧银金属化进行了探讨研究.为AlN封装互连基板的低温共烧工艺积累了实验数据.主要研究内容如下:该实验采用AlN/玻璃复合烧结体系,以低熔点玻璃相作为烧结助剂.烧成的AlN陶瓷基板介电常数为5~7(室温1MHz),热导率最高达到10W/m·K以上,满足作为高密度封装互连基板的需要.研究了流延基板的排胶问题,并对烧结体的显微结构和物相进行了研究.研究表明:流延坯片和银浆的排胶特性不同,氧化性气氛有利于两者的排胶;AlN/玻璃复合系统的烧结为液相烧结;引入微氧烧结气氛将改变烧结体晶相,出现Al<,2>O<,3>与AlN颗粒发生表面固溶形成的AlON多形体晶相.结合上述的研究分析,该实验对所采用的排胶、烧结等工艺进行优化改进,提高了AlN陶瓷基板低温共烧质量.并在分析研究导线球化机理的基础上,提出解决球化问题的方法,成功消除球化现象,实现了低温共烧银金属化工艺.
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