太阳能是一种可再生的清洁能源，在人类世界面临严重能源危机的情况下，对太阳能电池的研究意义重大。CuInSe2(CIS)薄膜太阳能电池具有转换效率高、成本低、稳定、无毒等优点，是最有发展前景的薄膜太阳能电池之一。　　 本论文主要介绍溅射后硒化法和溶液法制备CuInSe2及CuIn(S，Se)2薄膜材料的方法以及不同的工艺条件对其特性的影响。主要得到以下结论：　　 (1)当薄膜的衬底为碱石灰玻璃时，样品在不同退火工艺的作用下，Na元素对CuInSe2薄膜材料性能的影响是很大，Na离子在CuInSe2薄膜材料中占据阳离子空位与Se元素结合形成Na2Se物质，当经过高温退火后样品的电阻率变为1230Ω·cm。　　 (2)当S元素掺入时，CuInSe2薄膜材料的禁带宽度会有所提高，进而提高CuInSe2电池的效率。此论文研究硫和硒同时硒化的情况下硒化温度对CuIn(S，Se)2材料性能和结构的影响，发现当硒化温度为550℃，有助于合成均匀的、高质量的CuIn(S，Se)2薄膜材料。　　 (3)溶液法制备CuIn(S，Se)2薄膜材料是一种简易的制备方法，目前通过此方法制备的CuIn(S，Se)2太阳能电池的最高效率达到12％。此论文研究预退火温度对CuIn(S，Se)2薄膜材料结构和性能的影响，当预退火温度为250℃时制备的薄膜，与不经过预退火薄膜的电阻率相比要少3个数量级，而且晶格质量好、缺陷少。本论文中方法制备CuIn(S，Se)2薄膜材料的禁带宽度为(1.29eV)。　　 通过扫描电子显微镜(SEM)、XRD、Raman、XPS、Hall效应测量仪、紫外可见分光光度计等测试仪器对薄膜的性质进行表征。