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近年来,SOI(Silicon on Insulator)CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)技术由于其高速、低功耗等优点而得到广泛的应用,但其自身的导热性差、由浮体结构导致的寄生效应等缺点限制了SOI技术在小尺寸领域的进一步发展。类SOI结构的出现,基于的主要思想就是在保持SOI技术原有优点的同时,改善原先存在的缺点,提高器件的工作特性。针对类SOI结构,本文提出一种新型类SOI体硅(SLBS:SOI-Like Bulk Silicon)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor),其主要原理是基于体硅技术,应用p/n-/p+类型的阶梯掺杂,使n型轻掺杂层全耗尽,形成死区,实现类似SOI结构中绝缘的隐埋氧化层(BOX:Buried Oxide);同时N型轻掺杂层采用了宽禁带材料SiC,这种材料有着良好的导电和导热率,避免了SOI结构的各种热效应,同时其良好的抗辐射特性也使得器件在辐照下能够有效阻挡衬底产生的电子越过SiC层被漏极收集,增强器件的抗辐照特性。SLBS中由于埋氧层的缺失,也就自然而然地解决了SOI技术由于埋氧层导致的导热性差、浮体效应、抗总剂量辐照能力差等缺点。该SLBS器件设计的目的是想要在保证SOI技术优点的同时能够兼顾体硅技术的优点,实现器件特性的优化。本文针对提出的SLBS MOSFET进行了模拟仿真验证。首先对其基本转移特性和短沟道效应进行了仿真,并于SOI结构特性形成对比,发现SLBS器件在转移特性方面并未产生不必要的衰减,相对于SOI结构具有较小的泄漏电流,短沟道效应方面,除了阈值滚降特性以外,其相对于SOI器件具有较好的DIBL和亚阈值特性。其次,对其自加热效应(SHE:Self-heating Effects)和单粒子辐照效应进行了模拟仿真,发现SLBS器件导热性好,基本消除了自加热效应,器件输出特性不受影响,其单粒子辐照特性已达到与SOI相当水平。最后,对SLBS的热载流子效应(HCE:Hot Carrier Effects)与负向偏置温度稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)效应进行了探讨,发现SLBS的ΔVt、最大跨导(Gmmax)退化和栅电流这三个热载流子特征参数均比SOI器件的小,热载流子效应对器件的影响也相对较小,其热载流子最坏偏置条件为Vgs=1/2Vds,同时由于没有浮体效应而具有比SOI器件优秀的NBTI效应。