本文尝试采用超临界CO2萃取技术去除硅片上的有机污染物。通过对萃取前后硅片做电镜扫描和X射线光电子能谱扫描研究了萃取前后的硅片表面的型貌和电子结构的变化情况；分析了超临界CO2溶解有机污染物的理论；通过做压力、温度和污染量的三因素三水平正交实验，研究了三个主要因素(压力、温度、污染量)对萃取率的影响程度；通过实验研究了压力、温度和污染量的变化对萃取率的影响；研究时间因素、超声波和改性剂对萃取率的影响。　　 扫描图显示硅片在萃取实验前后的型貌和电子结构基本不发生变化，说明超临界CO2萃取技术可以应用于硅片上有机污染物的去除工艺中。通过正交实验的级差结果分析知：压力是对萃取率影响最大的因素，污染量次之，温度影响最小。萃取率随压力的升高而升高；随温度的升高而升高；随污染量的增加而略有降低，但是下降幅度不大。延长萃取时间对萃取率的提高是有限的；超声波的影响几乎可以忽略不计；改性剂能够提高萃取率。　　 在上述研究的基础上，提出超临界CO2萃取技术应用于硅片表面有机污染物的去除上的合理的技术参数和工艺以及进一步的工作建议。