【摘 要】
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顶部籽晶熔渗工艺(SIG)是在传统的渗透生长技术和籽晶生长技术的基础上产生的。熔渗工艺的最大优点,是能够方便的制备大尺寸和复杂形状的样品,且样品没有宏观变形和微观裂纹。在此工艺中,液相源(YBa_2Cu_3O_(7-δ)+Ba_3Cu_5O_8)提供的液相(3BaCuO_2+2CuO)在包晶反应温度以上渗入到多孔的Y211样品中,然后在降温过程中与Y211反应生成Y123相,其反应方程式为:Y_2
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顶部籽晶熔渗工艺(SIG)是在传统的渗透生长技术和籽晶生长技术的基础上产生的。熔渗工艺的最大优点,是能够方便的制备大尺寸和复杂形状的样品,且样品没有宏观变形和微观裂纹。在此工艺中,液相源(YBa_2Cu_3O_(7-δ)+Ba_3Cu_5O_8)提供的液相(3BaCuO_2+2CuO)在包晶反应温度以上渗入到多孔的Y211样品中,然后在降温过程中与Y211反应生成Y123相,其反应方程式为:Y_2BaCuO_5+(3BaCuO_2+2CuO)→2YBa_2Cu_3O_x。本文采用固态烧结法制备YBC
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开关电源是一个强的非线性动力学系统,具有丰富的非线性现象,例如分岔与混沌。当电路参数发生变化时,开关电源中就会产生混沌现象。因此,在某些特定的条件下,从混沌理论的角度去解释开关电源中的不稳定现象和应用混沌来提高开关电源的性能具有重要的指导意义。本论文系统地研究了Buck变换器和正激变换器中的混沌现象及其产生的机理,以及利用混沌展宽频谱的特性来降低其电磁干扰。本文的主要研究内容如下:1、以电压反馈型
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相对于Bi-2223/Ag第一代高温超导带材,在77K具有更好磁场载流性能的YBa_2Cu_3O_(7-d)(VBCO)涂层导体的研究,已成为目前实用高温超导材料的研究热点之一。涂层导体缓冲层技术是研究YBCO涂层导体的一个重要组成部分。近年来,缓冲层技术正在呈现由多层结构向单层结构、由多种沉积技术组合向单一沉积技术的发展趋势。对于复杂多层结构的缓冲层,不同氧化物之间的物理化学特性差异,导致缓冲层
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