论文部分内容阅读
本文通过TiberCAD模拟软件对GaN/InGaN量子阱太阳电池从宏观到微观进行了多尺度模拟,对GaN/InGaN单量子阱太阳电池和GaN/InGaN多量子阱太阳电池的理论效率进行了模拟计算。在太阳电池研究领域,清洁、高效、低成本始终是太阳电池的出发点和衡量太阳电池光电转换效率的标准。为突破传统太阳电池理论效率极限,探索新型高效太阳电池,对已经提出的第三代太阳电池有了进一步的研究,而量子阱结构太阳电池目前是第三代太阳中研究的前沿之一。量子阱太阳电池是将半导体量子阱插入太阳电池本征层的一种新