本论文采用高温固相法制备了Sr₃GaO₄F:Eu³⁺，Sr₃GaO₄F:Tb³⁺荧光体，通过XRD、PLE及PL等测试手段对产物晶型进行表征并研究掺杂离子浓度、反应温度、保温时间及共掺杂敏化离子对发光性能影响并探讨变化机理，得到以下结论。通过高温固相法合成荧光体Sr₃GaO₄F:Eu³⁺，并对产物晶型及性能进行表征，结果表明当反应温度为1080℃，Eu³⁺掺杂浓度达到0.2时，主发射峰618nm处源于Eu³⁺⁵D0→⁷F₂的跃迁发射峰强度最佳。此外研究了电荷补偿对粉体发光性能的影响，结果证明当nNa⁺:mEu³⁺=1:1时，且n=m=0.1时，发光增强效应最佳。同时讨论了Bi³⁺共掺对粉体红光发射的增强效应，得到发光性能最佳的分子式Sr_2.74GaO₄F:0.06Eu³⁺,0.2Bi³⁺。采用高温固相法制备荧光体Sr₃GaO₄F:Tb³⁺，通过对其激发及发射谱图的研究，发现激发谱呈现两部分激发峰，一部分位于250-300nm之间，源于Tb³⁺4f-5d跃迁；另外450-600nm处的峰是由于Tb³⁺的f-f能级组的跃迁产生，强度很弱。当反应温度在1000℃，Tb³⁺掺杂浓度为0.08时，其主峰546nm处的发光强度最佳。另外进一步研究了Ce³⁺/Tb³⁺共掺对发光性能的影响。通过激发以及发射谱的研究发现对于任意浓度的Tb³⁺,Ce³⁺引入都会使546nm处Tb³⁺特征发射峰强度增加，随着Tb³⁺掺杂浓度提高，Ce³⁺的特征发射减弱，Tb³⁺特征发射增强，证明存在Ce³⁺→Tb³⁺能量传递现象。而当低浓度Tb³⁺掺杂时增强效果尤为明显。最佳分子式Sr_2.88GaO₄F:0.08Ce³⁺,0.06Tb³⁺。