在现代半导体行业中，低温等离子体常应用于薄膜生长、基片刻蚀和表面改性等。相比于感应耦合等离子体源而言，容性耦合等离子体源的结构简单，更容易形成大口径等离子体，因而被半导体工业广泛应用。最近兴起的双频激发容性耦合等离子体源进一步地拓展了容性耦合等离子体源的功能，其中的甚高频率用来激发产生等离子体，而较低的频率则用来诱导等离子体中的离子轰击基片表面，这一离子通量和离子能量独立可控的特性大大拓宽了容性耦合等离子体的工作窗口，为半导体工业超细线宽的沟槽刻蚀带来了新的希望。 本文中所提及的容性耦合等离子体源是在原有的感应耦合等离子体源基础上改进而来，激发等离子体所用射频频率主要由信号发生器所产生，射频信号经过射频功率放大器的放大后直接传输到射频匹配器，匹配器的功率输出极与功率电极相连，等离子体的激发频率从5MHz到150MHz的范围内连续可调。 利用电压探针、电流探针和Langmuir探针等诊断设备对射频激发等离子体电学参量进行了测量，主要是针对不同频率下射频电压与输入功率的关系，射频电流与Ar气压的关系，以及频率、气压对极板自偏压的影响等进行了研究。 使用60MHz和13．56MHz的双频激发产生容性耦合等离子体，从两者的射频输入功率对彼此自偏压的变化来说明两者之间的耦合。60MHz射频激发产生的容性耦合等离子体的放电特性及电子行为采用电流、电压探针以及朗缪尔探针诊断技术进行了研究。实验结果表明，等离子体的等效电阻或电容随着射频输入功率的增加而减小或增加；等离子体中电子行为不仅依赖于射频输入功率，还与放电气压密切相关；放电气压的增加导致电子能量几率分布函数（EEPF）从双温Maxwellian分布向Druyvesteyn分布转变，而且转变气压远低于文献所报道的数值，这主要是由于在60MHz容性耦合等离子体中电子反弹共振加热效率大为降低所致。