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随着无线移动通信的飞速发展,GHz频带电子器件的设计和制造越来越受到关注。滤波器是通信系统中的关键器件。因此,高频率、低功耗、大动态范围的滤波器的研究成为通信系统领域的重要课题。SiGe异质结晶体管(HBT)与Si晶体管性能相比有工作频率高,击穿电压高等优点。与GaAs器件相比,SiGe HBT在微波频带的卓越表现已经接近。而且由于SiGe的制造工艺可以同常规IC工艺相兼容,所以它具有高集成和低成本优势,这是GaAs器件难以比拟的。因此,最近几年SiGe工艺发展快速,应用在高频通信领域。本论文采用德国Atmel公司的0.5μm SiGe HBT工艺,模拟设计了一种具有回转结构的跨导-电容滤波器。我们提供了滤波器的拓扑结构和偏置电路。并使用安捷伦公司的射频电路设计软件ADS对该滤波器进行了模拟分析。分析结果表明,滤波器是带通滤波器。我们分别模拟分析了带通滤波器的中心频率、输出增益和功耗的主要影响因素。我们发现影响滤波器中心频率有四个主要因素,分别是回转电容,镜像电流源的集电极电阻,直流偏置电压和晶体管基极和发射极间电压。我们模拟分析了这四个主要因素的作用规律。通过分析,我们获得了通过回转电容或集电极电阻对滤波器中心频率实现可控调节的规律;提供了偏置电压和晶体管的不同型号对滤波器中心频率影响的规律。我们还发现,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不应该按常规工作在放大区而应该工作在饱和区。对滤波器输出增益的进一步模拟分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,也可以提高滤波器的输出增益。但是也会同时增加滤波器的功耗。然后,选择3.16GHz和370MHz为滤波器工作频率,在3.3伏偏置电压下,我们给出S参数最优条件的设计结果。结果表明该滤波器不仅在上百MHz频段有很好的响应特性:较大的Q值,高通带增益、良好的对称性、低的电压驻波比、在工作频段内无寄生通带以及很好的相位线性度。在GHz频段有更好的性能表现。我们还研究了电路加入一级差分放大对增益、Q值、中心频率等性质的影响规律。最后我们使用Cadence对370MHz回转结构跨导-电容滤波器进行了版图设计,芯片面积0.2毫米×0.3毫米。