【摘 要】
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在信息时代中,数据存储是信息处理的重要一环,而磁记录存储又是数据存储的主要方式之一。据统计,在大量新信息中,有92%是用磁记录方式存储的,而其中大部分又是由硬盘记录存储的。交
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在信息时代中,数据存储是信息处理的重要一环,而磁记录存储又是数据存储的主要方式之一。据统计,在大量新信息中,有92%是用磁记录方式存储的,而其中大部分又是由硬盘记录存储的。交换偏置现象作为硬盘磁头和磁随机存储器(MRAM)基本构件的物理基础之一,在近几十年中得到了广泛研究。而铁磁/反铁磁双层膜的材料也是下一代硬盘记录技术的必要选择之一,很多国家正在对其进行积极研发。本文对铁磁/反铁磁双层膜材料的热力学性质和交换偏置现象进行了研究。
建立了补偿界面和未补偿界面铁磁/反铁磁双层膜模型,采用Ising模型和线性集团平均场近似方法推导了相关物理量的表达式;又应用Heisenberg模型和格林函数方法推导出系统的磁化强度;对铁磁/反铁磁双层膜的热力学性质和交换偏置进行研究。
研究了铁磁/反铁磁之间交换作用,反铁磁磁晶各项异性和反铁磁之间的交换作用对热力学性质的影响。计算结果表明,铁磁/反铁磁之间交换作用增加时,未补偿界面双层膜系统的转变温度受铁磁层影响的峰值右移,而补偿界面双层膜系统的转变温度受铁磁层影响的峰值左移;反铁磁磁晶各项异性、交换作用增加时,系统的转变温度受反铁磁层影响而增加。
研究了铁磁/反铁磁之间交换作用、反铁磁磁晶各向异性和反铁磁间交换作用对磁滞回线、交换偏置和矫顽力的影响。计算结果表明,对于补偿界面在特定层间交换作用时才出现交换偏置现象;对于未补偿界面,铁磁/反铁磁层间交换作用增加时,系统的交换偏置增加而矫顽力减小;随着反铁磁之间交换作用的增加,系统的交换偏置和矫顽力都增加。
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