近年来电子终端产品朝着微型化的趋势高速发展,高密度互联（HDI）多层板应运而生。通孔、盲孔和埋孔在印制电路板（PCB）层与层之间的连通制造工艺的应用中也日益增加。铜优异的导电性能,使其在PCB中成为导电线路的主体。线路板层数厚度增加、孔径逐渐减小和厚径比增加,使得孔内电场分布严重不均匀,导致在填孔电镀过程中产生孔洞,引起电气性能下降。解决这个问题的一种方法是在电镀铜镀液中加入不同添加剂,使裸露的铜面以及孔内获得光亮细致、厚度达到工艺要求的铜层。本论文通过正交实验获得填孔电镀铜的工艺参数,根据电化学研究添加剂在铜表面的吸附机理,分别使用分子动力学模拟及量子化学计算研究了加速剂在铜表面的动力学过程和吸附位点。1.填孔电镀铜配方及优化工艺条件如下:（1）研究了电镀铜各添加剂组分浓度对镀层性能的影响,结果表明:加速剂以及抑制剂对镀层的光亮度以及结合力影响最大。添加剂的最佳组合是脂肪胺乙氧基磺化物（AESS）为25 mg/L,聚乙烯亚胺烷基盐（PN）为25 mg/L,聚二硫二丙烷磺酸钠（SPS）为2mg/L,电流密度为3 A/dm2。（2）温度以及施镀时间的变化对镀层性能的影响,孔铜厚度随温度的变化而增加,最佳施镀温度是30℃,施镀时间2 h时的镀层结合力和光亮度基本较好。2.通过电化学测试研究添加剂的作用机理。电化学研究结果表明加速剂的加入会使阴极极化电位负移,SPS和3-巯基-1-丙烷磺酸钠（MPS）在电极表面的覆盖度分别为0.44和0.30。3.研究添加剂分子MPS和SPS在Cu表面的吸附过程的前线轨道,Fukui指数及能量变化等信息。分子动力学计算结果表明,SPS和MPS在Cu（111）面的吸附能分别为-280.35 kcal/mol和-239.03 kcal/mol,表明两种加速剂分子都可以自发地吸附在Cu（111）晶面。能级轨道结果表明,加速剂的吸附是由于加速剂给出孤电子对与Cu的空轨道结合形成配位键,加速剂的活性基团是磺酸基,二硫键和巯基。并且根据加速剂的吸附能和吸附形态证明加速剂能与铜表面发生较强的吸附。设计了新型加速剂1-巯基-4,5-硫代辛烷磺酸钠（SSPS）,吸附能为-229.85 kcal/mol,性质与计算的现有添加剂类似。说明SSPS能发生较强的吸附,能很好的发挥加速剂的预期效果。加速剂的加速作用与分子轨道能级分布和Fukui指数密切相关。