白光发光二极管（WLEDs）凭借其节能、高效、长寿和环境友好等优点成为了新一代的照明光源。目前,商用的WLEDs由蓝光InGaN/Ga N芯片和黄色荧光粉Y₃Al₅O₁₂:Ce³⁺(YAG:Ce³⁺)组成。但是,通过这种方法获得的WLED的缺点是色温高（CCT>6000 K）,显色指数低（Ra<70）,不利于室内照明使用。为了解决这个问题,研究人员致力于寻找一种新型红色荧光粉来改善WLEDs的性能。过渡金属Mn⁴⁺掺杂的氟化物红色荧光粉由于具有独特的窄带红光发射,生产成本低及原材料丰富等优点,是一种理想的红光发射材料。糟糕的是,合成这类荧光粉通常需要使用剧毒的氢氟酸做溶剂,这会对环境和人体造成一定的危害。因此,本文致力于寻找一种绿色环保的合成路线来制备Mn⁴⁺掺杂的氟化物红色荧光粉。主要研究内容如下:采用（NH₄F+HCl）代替剧毒的HF合成了立方体形貌的KZnF₃:Mn⁴⁺。KZnF₃:Mn⁴⁺可以有效的被蓝光激发,从而产生一系列窄带红光发射。探究了反应条件对KZnF₃:Mn⁴⁺荧光粉发光性能的影响。此外,分析了浓度猝灭机理。最后,使用KZnF₃:Mn⁴⁺荧光粉作为红光发射材料,与黄粉YAG:Ce³⁺和Ga N蓝光芯片组装,获得的WLED色温低（CCT=4974 K）,显色指数高（Ra=82.1）,并且发光效率为120.33lm/W。使用（NH₄F+HCl）代替剧毒的HF合成了菊花状形貌的K₂LiAlF₆:Mn⁴⁺。在465 nm蓝光激发下,K₂LiAlF₆:Mn⁴⁺能够发射尖锐的红光。探究了反应条件对K₂LiAlF₆:Mn⁴⁺荧光粉发光性能的影响。分析了浓度猝灭机理。此外,Mn⁴⁺在K₂LiAlF₆基质中具有很强的晶体场强度并对其发射机理进行了讨论。分别使用HAc,HCl和HNO₃代替剧毒的HF制备了一系列K₃ZrF₇:Mn⁴⁺。在468nm蓝光激发下,K₃ZrF₇:Mn⁴⁺能够产生窄带红光发射。最强发射峰位于632 nm,归属于Mn⁴⁺自旋禁止的2Eg→4A2g能级跃迁。探究了表面活性剂对K₃ZrF₇:Mn⁴⁺发光性能的影响。此外,讨论了浓度猝灭机理。结果表明K₃ZrF₇:Mn⁴⁺是一种有前景的红光发射材料。使用（NH₄F+HNO₃/HAc/H₃PO₄）代替剧毒的HF合成了K₂SiF₆:Mn⁴⁺。研究了钾源和表面活性剂对K₂SiF₆:Mn⁴⁺发光性能的影响,讨论了浓度猝灭机理,分析了K₂SiF₆基质中Mn⁴⁺的晶体场强度和发射机理。使用K₂SiF₆:Mn⁴⁺作为红光发射材料,与黄粉YAG:Ce³⁺和Ga N蓝光芯片组装,获得了具有低色温（CCT=3816 K）,高显色指数（Ra=87.7）,高发光效率（139.51 lm/W）的暖白光LED。