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锡须是从锡层或锡合金层表面生长的一种细长锡单晶。它具有很高的电流负载能力,对电子元器件具有严重危害。锡须生长现象一直是电子封装行业面临的重大难题,因此锡须的生成机理成为当今研究的焦点。本文对不同条件下锡须的生长进行了研究,首先利用磁控溅射方法在Cu基底上制备了一组厚度为1200nm的纯锡薄膜,将它们置于氩气环境中于不同温度下退火,发现50°C是锡须生长的最适宜温度,在此温度下锡须的长度和密度都达到最大。在高温下,样品内部残余应力的消除以及金属间化合物形态的转变会导致样品表面锡须数量的减少