Yb:GdVO4激光晶体生长与光谱性质的研究

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本论文报告了YbxGd1-xVO4、NdxYbyGd1x-yVO4、YbxEryGd1-x-yVO4和YbxGd1xyLayVO4晶体的生长、光谱性质等。采用液相法合成多晶粉末原料,并以提拉法(Czochralski)生长单晶,讨论了与晶体生长有关的一些影响因素。电感耦合等离子体发射光谱分析了晶体中掺杂离子的浓度,由此分析得到掺杂离子在GdVO4晶体中的分凝系数为0.67~0.86。晶体的X-射线粉末衍射线的位置与标准粉末衍射谱图相符合,并由衍射峰计算得到晶体的单胞参数,讨论掺杂对晶胞体积的影响。利用Nd:YAG激光器测试晶体的激光损伤阈值,随着掺杂离子浓度的增大,激光损伤光功率密度呈减小趋势。在室温下测试YbxGd1-xVO4与YbxGd1-x-yLayVO4晶体的偏振吸收光谱与非偏振荧光光谱,由此可初步判定Yb3+的Stark能级。随着Yb3+浓度的增大,出现了荧光猝灭现象。利用倒易算法和F—L公式计算了晶体Yb3+4F7/24F5/2能级跃迁的发射截面、辐射跃迁几率、辐射寿命等光谱参数。晶体荧光峰的半峰宽大于40nm,具有较宽的发射谱带,适合用作可调谐激光器的工作介质,也适用作飞秒锁模激光输出。在室温下测试NdxYbyGd1-x-yVO4与YbxEryGd1-x-yVO4晶体的偏振吸收光谱与非偏振荧光光谱,用J—O理论计算了Nd3+、Er3+各能级跃迁的光谱参数,并讨论了Nd3+—Yb3+、Yb3+—Er3+之间的能量转移过程,其能量转移效率分别为78%与67%。
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