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镧掺杂钛酸铋((Bi_4-x)La_x)Ti_3O_(12))以其高剩余极化强度、良好的疲劳强度和介电响应快等优点，在铁电随机存储器(FRAM)上的应用前景非常广阔，是近年来人们研究的热点。虽然在这方面的工作已经取得了可喜的进展，但要使其成功地应用于FRAM器件上，仍有很多问题有待进一步解决，如因剩余极化强度不够大，所制得FRAM的容量偏小还不能与现有的动态随机存储器(DRAM)等器件竞争等。现有已经生产出来的FRAM器件的容量大约在兆(M)的量级，与现有的DRAM等随机存储器的容量差距较大。所以有