作为具有巨大发展潜力的非易失存储设备,相变存储器(Phase Change Memory)具有低功耗、速度快、多值存储、与CMOS工艺兼容等优势,在近年来发展迅猛。其利用相变材料在晶化与非晶化的不同状态下电阻值差异来存储不同的数据。缩小相变存储器的存储单元尺寸,是提高存储密度的主要方法,然而提高存储密度需要应对相变存储单元之间的热串扰现象,同时,对相变存储单元进行常规操作时,传统的擦写过程会造成重复擦写,故有必要提出一种方案,能够有效的降低重复擦写次数,减小热串扰对相变存储器的干扰。本文提出了一种预读写方案,通过预读写操作避免重复擦写带来的重复操作,在擦写过程中采用脉宽调制和幅度调制电路,避免过度擦写,可有效降低热串扰。本文通过模块化设计,搭建了预读写电路系统的实验平台,设计了可以对相变存储阵列实现预读写功能的电路,实现了相变存储阵列的预读写方案。整个预读写电路系统由预读写电路主控模块、电源模块、半导体分析仪模块、下位机模块、相变存储阵列电路模块构成。其中预读写主控电路与下位机模块利用可编程的微控制器,增强了预读写方案的灵活性。基于本文的预读写电路系统,本文利用仿真分析,建立了相变存储阵列的受激励模型,验证了已设计的预读写方案的可行性。通过分析得到结论,与常规的擦写操作比较,对相变存储阵列进行预读写操作能够有效减少其擦写过程整个相变存储阵列的功耗,减少了存储阵列的总体擦写次数,提高了存储阵列使用寿命。